- 부품 번호IRF6894MTRPBF
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명25V 999A DIRECTFET-LV
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 248,561
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기술적 세부 사항
- 시리즈:HEXFET®
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):25 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):32A (Ta), 160A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):4.5V, 10V
- rds on (최대) @ id, vgs:1.3mOhm @ 33A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.1V @ 100µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:39 nC @ 4.5 V
- vgs (최대):±16V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:4.16 pF @ 13 V
- fet 기능:Schottky Diode (Body)
- 전력 손실 (최대):2.1W (Ta), 54W (Tc)
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:DIRECTFET™ MX
- 패키지 / 케이스:DirectFET™ Isometric MX
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