기술적 세부 사항

• 시리즈:CoolSiC™
• 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 부품 상태:Active
• fet 유형:N-Channel
• 과학 기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):1.2 kV
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):26A (Tc)
• 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
• rds on (최대) @ id, vgs:125mOhm @ 8.5A, 18V
• vgs (th) (최대) @ id:5.7V @ 3.7mA

• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:23 nC @ 18 V
• vgs (최대):+18V, -15V
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:763 pF @ 800 V
• fet 기능:Standard
• 전력 손실 (최대):136W (Tc)
• 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형:Surface Mount
• 공급자 장치 패키지:PG-TO263-7-12
• 패키지 / 케이스:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA