- 부품 번호IGT60R190D1SATMA1
- 상표IR (Infineon Technologies)
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 50
즉시 배송 가능
가격:
- 1$15.05
- 2,000$9.17476
기술적 세부 사항
- 시리즈:CoolGaN™
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:GaNFET (Gallium Nitride)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):600 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):12.5A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
- rds on (최대) @ id, vgs:-
- vgs (th) (최대) @ id:1.6V @ 960µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
- vgs (최대):-10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:157 pF @ 400 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):55.5W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:PG-HSOF-8-3
- 패키지 / 케이스:8-PowerSFN
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