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기술적 세부 사항

  • 시리즈:CoolSiC™+
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • 다이오드 유형:Silicon Carbide Schottky
  • 전압-dc 역방향 (vr) (최대):1200 V
  • 전류-평균 정류 (io):110A (DC)
  • 전압-순방향 (vf) (최대) @ if:1.65 V @ 40 A
  • 속도:No Recovery Time > 500mA (Io)

 

  • 역 회복 시간 (trr):0 ns
  • 전류-역방향 누설 @ vr:332 µA @ 1200 V
  • 커패시턴스 @ vr, f:2592pF @ 1V, 1MHz
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지 / 케이스:TO-247-2
  • 공급자 장치 패키지:PG-TO247-2
  • 작동 온도-접합:-55°C ~ 175°C

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