기술적 세부 사항

• 시리즈:CoolSiC™+
• 꾸러미:Bulk
• 부품 상태:Obsolete
• 다이오드 유형:Silicon Carbide Schottky
• 전압-dc 역방향 (vr) (최대):650 V
• 전류-평균 정류 (io):9A (DC)
• 전압-순방향 (vf) (최대) @ if:1.8 V @ 9 A
• 속도:No Recovery Time > 500mA (Io)

• 역 회복 시간 (trr):0 ns
• 전류-역방향 누설 @ vr:1.6 mA @ 650 V
• 커패시턴스 @ vr, f:270pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형:Surface Mount
• 패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지:PG-TO263-2
• 작동 온도-접합:-55°C ~ 175°C