- 부품 번호HTNFET-T
- 상표Honeywell Aerospace
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2
즉시 배송 가능
가격:
- 1$465
기술적 세부 사항
- 시리즈:HTMOS™
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):55 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):-
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):5V
- rds on (최대) @ id, vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
- vgs (th) (최대) @ id:2.4V @ 100µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
- vgs (최대):10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:290 pF @ 28 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):50W (Tj)
- 작동 온도:-55°C ~ 225°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:4-Power Tab
- 패키지 / 케이스:4-SIP
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