기술적 세부 사항

• 시리즈:HTMOS™
• 꾸러미:Bulk
• 부품 상태:Active
• fet 유형:N-Channel
• 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):55 V
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):-
• 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):5V
• rds on (최대) @ id, vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
• vgs (th) (최대) @ id:2.4V @ 100µA

• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
• vgs (최대):10V
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:290 pF @ 28 V
• fet 기능:-
• 전력 손실 (최대):50W (Tj)
• 작동 온도:-
• 장착 유형:Through Hole
• 공급자 장치 패키지:-
• 패키지 / 케이스:8-CDIP Exposed Pad