- 부품 번호HGTP5N120BND
- 상표Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
- 범주트랜지스터-igbts-단일
재고: 2,447
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Not For New Designs
- igbt 유형:NPT
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):1200 V
- 전류-수집기 (ic) (최대):21 A
- 전류-컬렉터 펄스 (icm):40 A
- vce (on) (최대) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 5A
- 전력-최대:167 W
- 스위칭 에너지:450µJ (on), 390µJ (off)
- 입력 유형:Standard
- 게이트 요금:53 nC
- td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:22ns/160ns
- 테스트 조건:960V, 5A, 25Ohm, 15V
- 역 회복 시간 (trr):65 ns
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 패키지 / 케이스:TO-220-3
- 공급자 장치 패키지:TO-220-3
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