- 부품 번호HGTG10N120BND
- 상표Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
- 범주트랜지스터-igbts-단일
재고: 374
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가격:
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Not For New Designs
- igbt 유형:NPT
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):1200 V
- 전류-수집기 (ic) (최대):35 A
- 전류-컬렉터 펄스 (icm):80 A
- vce (on) (최대) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
- 전력-최대:298 W
- 스위칭 에너지:850µJ (on), 800µJ (off)
- 입력 유형:Standard
- 게이트 요금:100 nC
- td (켜기 / 끄기) @ 25 ° c:23ns/165ns
- 테스트 조건:960V, 10A, 10Ohm, 15V
- 역 회복 시간 (trr):70 ns
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 패키지 / 케이스:TO-247-3
- 공급자 장치 패키지:TO-247-3
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