- 부품 번호GA10SICP12-263
- 상표GeneSiC Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2,239
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Active
- fet 유형:-
- 과학 기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):25A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
- rds on (최대) @ id, vgs:100mOhm @ 10A
- vgs (th) (최대) @ id:-
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
- vgs (최대):-
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1403 pF @ 800 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):170W (Tc)
- 작동 온도:175°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:D2PAK (7-Lead)
- 패키지 / 케이스:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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