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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Obsolete
  • fet 유형:-
  • 과학 기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 소스 전압으로 드레인 (vdss):1700 V
  • 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):4A (Tc) (95°C)
  • 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
  • rds on (최대) @ id, vgs:480mOhm @ 4A
  • vgs (th) (최대) @ id:-

 

  • 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
  • vgs (최대):-
  • 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:-
  • fet 기능:-
  • 전력 손실 (최대):106W (Tc)
  • 작동 온도:175°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 공급자 장치 패키지:TO-247AB
  • 패키지 / 케이스:TO-247-3

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