기술적 세부 사항

• 시리즈:G3R™
• 꾸러미:Tube
• 부품 상태:Active
• fet 유형:N-Channel
• 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):41A (Tc)
• 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):15V
• rds on (최대) @ id, vgs:90mOhm @ 20A, 15V
• vgs (th) (최대) @ id:2.69V @ 7.5mA

• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:54 nC @ 15 V
• vgs (최대):±15V
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1560 pF @ 800 V
• fet 기능:-
• 전력 손실 (최대):207W (Tc)
• 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형:Through Hole
• 공급자 장치 패키지:TO-247-4
• 패키지 / 케이스:TO-247-4