- 부품 번호G3R350MT12J
- 상표GeneSiC Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 664
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- 1$5.9
기술적 세부 사항
- 시리즈:G3R™
- 꾸러미:Tube
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):11A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):15V
- rds on (최대) @ id, vgs:420mOhm @ 4A, 15V
- vgs (th) (최대) @ id:2.69V @ 2mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:12 nC @ 15 V
- vgs (최대):±15V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:334 pF @ 800 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):75W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:TO-263-7
- 패키지 / 케이스:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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