- 부품 번호FQB4N80TM
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2,400
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가격:
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- 1,600$0.38655
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- 5,600$0.34501
기술적 세부 사항
- 시리즈:QFET®
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):800 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):3.9A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
- rds on (최대) @ id, vgs:3.6Ohm @ 1.95A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:5V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:25 nC @ 10 V
- vgs (최대):±30V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:880 pF @ 25 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):3.13W (Ta), 130W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:D²PAK (TO-263AB)
- 패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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