- 부품 번호FPF2C110BI07AS2
- 상표Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
- 범주트랜지스터-igbts-모듈
재고: 2,756
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tray
- 부품 상태:Active
- igbt 유형:-
- 구성:Half Bridge
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):650 V
- 전류-수집기 (ic) (최대):40 A
- 전력-최대:300 W
- vce (on) (최대) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
- 전류-콜렉터 차단 (최대):250 µA
- 입력 커패시턴스 (cies) @ vce:-
- 입력:Standard
- ntc 서미스터:Yes
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C
- 장착 유형:Through Hole
- 패키지 / 케이스:30-DIP Module
- 공급자 장치 패키지:F2
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