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기술적 세부 사항

  • 시리즈:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • 꾸러미:Tube
  • 부품 상태:Active
  • fet 유형:2 N-Channel (Dual)
  • fet 기능:Standard
  • 소스 전압으로 드레인 (vdss):150V
  • 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):53A
  • rds on (최대) @ id, vgs:20mOhm @ 55A, 10V

 

  • vgs (th) (최대) @ id:4.5V @ 250µA
  • 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:150nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:8600pF @ 25V
  • 전력-최대:180W
  • 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지 / 케이스:i4-Pac™-5
  • 공급자 장치 패키지:ISOPLUS i4-PAC™

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