- 부품 번호FF6MR12W2M1B11BOMA1
- 상표IR (Infineon Technologies)
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET MODULE 1200V 200A
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 60
즉시 배송 가능
가격:
- 1$323.73
- 15$310.05276
기술적 세부 사항
- 시리즈:CoolSiC™+
- 꾸러미:Tray
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual)
- fet 기능:Silicon Carbide (SiC)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):200A (Tj)
- rds on (최대) @ id, vgs:5.63mOhm @ 200A, 15V
- vgs (th) (최대) @ id:5.55V @ 10mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:496nC @ 15V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:14700pF @ 800V
- 전력-최대:20mW (Tc)
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 패키지 / 케이스:Module
- 공급자 장치 패키지:AG-EASY2BM-2
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