- 부품 번호FDMS3660S-F121
- 상표Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 2,911
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기술적 세부 사항
- 시리즈:PowerTrench®
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Obsolete
- fet 유형:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- fet 기능:Logic Level Gate
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):30V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):13A, 30A
- rds on (최대) @ id, vgs:8mOhm @ 13A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2.7V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:29nC @ 10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1765pF @ 15V
- 전력-최대:1W
- 작동 온도:-
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
- 공급자 장치 패키지:Power56
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