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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Strip
  • 부품 상태:Active
  • rf 유형:-
  • 토폴로지:Reflective
  • 회로:SPDT
  • 주파수 범위:100MHz ~ 8GHz
  • 격리:31dB
  • 삽입 손실:0.7dB

 

  • 시험 빈도:8GHz, 6GHz
  • p1db:39dBm
  • iip3:-
  • 풍모:-
  • 임피던스:50Ohm
  • 전압-공급:2.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도:-40°C ~ 105°C
  • 패키지 / 케이스:6-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지:6-DFN (1.5x1.5)

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