- 부품 번호EPC2110
- 상표EPC
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 7,501
즉시 배송 가능
가격:
- 1$2.37
- 2,500$1.06234
기술적 세부 사항
- 시리즈:eGaN®
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual) Common Source
- fet 기능:GaNFET (Gallium Nitride)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):120V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):3.4A
- rds on (최대) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 5V
- vgs (th) (최대) @ id:2.5V @ 700µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:0.8nC @ 5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:80pF @ 60V
- 전력-최대:-
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:-
- 패키지 / 케이스:Die
- 공급자 장치 패키지:Die
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