- 부품 번호EPC2106ENGRT
- 상표EPC
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 3,541
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기술적 세부 사항
- 시리즈:eGaN®
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Discontinued at Digi-Key
- fet 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
- fet 기능:GaNFET (Gallium Nitride)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):100V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):1.7A
- rds on (최대) @ id, vgs:70mOhm @ 2A, 5V
- vgs (th) (최대) @ id:2.5V @ 600µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:0.73nC @ 5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:75pF @ 50V
- 전력-최대:-
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:Die
- 공급자 장치 패키지:Die
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