- 부품 번호EPC2010
- 상표EPC
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명GANFET N-CH 200V 12A DIE
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2,211
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기술적 세부 사항
- 시리즈:eGaN®
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Discontinued at Digi-Key
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:GaNFET (Gallium Nitride)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):200 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):12A (Ta)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):5V
- rds on (최대) @ id, vgs:25mOhm @ 6A, 5V
- vgs (th) (최대) @ id:2.5V @ 3mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:7.5 nC @ 5 V
- vgs (최대):+6V, -4V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:540 pF @ 100 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):-
- 작동 온도:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:Die
- 패키지 / 케이스:Die
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