- 부품 번호EMB3T2R
- 상표ROHM Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- 범주트랜지스터-바이폴라 (bjt)-어레이, 사전 바이어스
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기술적 세부 사항
- 시리즈:*
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- 트랜지스터 유형:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 전류-수집기 (ic) (최대):100mA
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):50V
- 저항기-베이스 (r1):4.7kOhms
- 저항기-이미 터베이스 (r2):-
- dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
- vce 포화 (최대) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 5mA
- 전류-콜렉터 차단 (최대):-
- 주파수-전환:250MHz
- 전력-최대:150mW
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
- 공급자 장치 패키지:EMT6
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