- 부품 번호EFC6604R-TR
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 1,418,600
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual)
- fet 기능:Logic Level Gate, 2.5V Drive
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):-
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):-
- rds on (최대) @ id, vgs:-
- vgs (th) (최대) @ id:-
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:29nC @ 4.5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:-
- 전력-최대:1.6W
- 작동 온도:150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:6-XFBGA
- 공급자 장치 패키지:6-EFCP (1.9x1.46)
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