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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Tape & Box (TB)
  • 부품 상태:Obsolete
  • 트랜지스터 유형:NPN - Pre-Biased + Diode
  • 전류-수집기 (ic) (최대):100 mA
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):50 V
  • 저항기-베이스 (r1):4.7 kOhms
  • 저항기-이미 터베이스 (r2):4.7 kOhms

 

  • dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:20 @ 10mA, 5V
  • vce 포화 (최대) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-콜렉터 차단 (최대):500nA
  • 주파수-전환:250 MHz
  • 전력-최대:300 mW
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지 / 케이스:TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지:TO-92S

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