- 부품 번호DS1245AB-120IND+
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
- 범주기억
재고: 173
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가격:
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- 메모리 유형:Non-Volatile
- 메모리 형식:NVSRAM
- 과학 기술:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- 메모리 크기:1Mb (128K x 8)
- 메모리 인터페이스:Parallel
- 클록 주파수:-
- 쓰기주기 시간-단어, 페이지:120ns
- 액세스 시간:120 ns
- 전압-공급:4.75V ~ 5.25V
- 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
- 장착 유형:Through Hole
- 패키지 / 케이스:32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- 공급자 장치 패키지:32-EDIP
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