- 부품 번호DF11MR12W1M1B11BOMA1
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명IGBT MODULE
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 83
즉시 배송 가능
가격:
- 1$120
기술적 세부 사항
- 시리즈:*
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual)
- fet 기능:Silicon Carbide (SiC)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200V (1.2kV)
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):50A
- rds on (최대) @ id, vgs:23mOhm @ 50A, 15V
- vgs (th) (최대) @ id:5.5V @ 20mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:125nC @ 5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:3950pF @ 800V
- 전력-최대:20mW
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 패키지 / 케이스:Module
- 공급자 장치 패키지:Module
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