- 부품 번호CSD86356Q5DT
- 상표Texas Instruments
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 450
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가격:
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기술적 세부 사항
- 시리즈:NexFET™
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
- fet 기능:Logic Level Gate, 5V Drive
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):25V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):40A (Ta)
- rds on (최대) @ id, vgs:4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
- vgs (th) (최대) @ id:1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
- 전력-최대:12W (Ta)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
- 공급자 장치 패키지:8-VSON-CLIP (5x6)
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