- 부품 번호CSD75207W15
- 상표Texas Instruments
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 2,245
즉시 배송 가능
가격:
- 1$0.68
- 3,000$0.26293
- 6,000$0.25387
기술적 세부 사항
- 시리즈:NexFET™
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 P-Channel (Dual) Common Source
- fet 기능:Logic Level Gate
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):-
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):3.9A
- rds on (최대) @ id, vgs:162mOhm @ 1A, 1.8V
- vgs (th) (최대) @ id:1.1V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:3.7nC @ 4.5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:595pF @ 10V
- 전력-최대:700mW
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:9-UFBGA, DSBGA
- 공급자 장치 패키지:9-DSBGA
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