- 부품 번호CSD23202W10T
- 상표Texas Instruments
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 18,785
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가격:
- 1$0.48
- 250$0.29313
- 500$0.24887
- 750$0.2157
- 1,250$0.19357
기술적 세부 사항
- 시리즈:NexFET™
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:P-Channel
- 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):12 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):2.2A (Ta)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):1.5V, 4.5V
- rds on (최대) @ id, vgs:53mOhm @ 500mA, 4.5V
- vgs (th) (최대) @ id:900mV @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:3.8 nC @ 4.5 V
- vgs (최대):-6V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:512 pF @ 6 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):1W (Ta)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 공급자 장치 패키지:4-DSBGA (1x1)
- 패키지 / 케이스:4-UFBGA, DSBGA
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