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기술적 세부 사항

  • 시리즈:GaN
  • 꾸러미:Tray
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:HEMT
  • 회수:3.1GHz ~ 3.5GHz
  • 이득:13dB
  • 전압-테스트:28 V

 

  • 현재 등급 (암페어):-
  • 노이즈 피겨:-
  • 현재-테스트:200 mA
  • 전력-출력:47.6dBm
  • 전압-정격:125 V
  • 패키지 / 케이스:440193
  • 공급자 장치 패키지:440193

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