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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Strip
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:pHEMT FET
  • 회수:12GHz
  • 이득:12.2dB
  • 전압-테스트:2 V

 

  • 현재 등급 (암페어):15mA
  • 노이즈 피겨:0.62dB
  • 현재-테스트:10 mA
  • 전력-출력:125mW
  • 전압-정격:4 V
  • 패키지 / 케이스:4-SMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지:4-Super Mini Mold

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