기술적 세부 사항

• 시리즈:C3M™
• 꾸러미:Tube
• 부품 상태:Active
• fet 유형:N-Channel
• 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):100A (Tc)
• 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):15V
• rds on (최대) @ id, vgs:28.8mOhm @ 50A, 15V
• vgs (th) (최대) @ id:3.6V @ 17.7mA

• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:160 nC @ 15 V
• vgs (최대):+15V, -4V
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:4818 pF @ 1000 V
• fet 기능:-
• 전력 손실 (최대):469W (Tc)
• 작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형:Through Hole
• 공급자 장치 패키지:TO-247-3
• 패키지 / 케이스:TO-247-3