- 부품 번호BSO615CGHUMA1
- 상표Rochester Electronics
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명PFET, 3.1A I(D), 60V, 0.11OHM, 2
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
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기술적 세부 사항
- 시리즈:SIPMOS®
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N and P-Channel
- fet 기능:Logic Level Gate
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):60V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):3.1A (Ta), 2A (Ta)
- rds on (최대) @ id, vgs:110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2V @ 20µA, 2V @ 450µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:22.5nC, 20nC @ 10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:380pF, 460pF @ 25V
- 전력-최대:2W (Ta)
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 공급자 장치 패키지:PG-DSO-8
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