- 부품 번호BSM600C12P3G201
- 상표ROHM Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 3
즉시 배송 가능
가격:
- 1$1200
기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Tray
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):600A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
- rds on (최대) @ id, vgs:-
- vgs (th) (최대) @ id:5.6V @ 182mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
- vgs (최대):+22V, -4V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:28000 pF @ 10 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):2460W (Tc)
- 작동 온도:175°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 공급자 장치 패키지:Module
- 패키지 / 케이스:Module
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