- 부품 번호BSM180C12P3C202
- 상표ROHM Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2
즉시 배송 가능
가격:
- 1$492
기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:N-Channel
- 과학 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):180A (Tc)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
- rds on (최대) @ id, vgs:-
- vgs (th) (최대) @ id:5.6V @ 50mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
- vgs (최대):+22V, -4V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:9000 pF @ 10 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):880W (Tc)
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 공급자 장치 패키지:Module
- 패키지 / 케이스:Module
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