- 부품 번호BSG0810NDIATMA1
- 상표IR (Infineon Technologies)
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 3,707
즉시 배송 가능
가격:
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- 5,000$1.17409
기술적 세부 사항
- 시리즈:OptiMOS™
- 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- fet 기능:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):25V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):19A, 39A
- rds on (최대) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:2V @ 250µA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:8.4nC @ 4.5V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1040pF @ 12V
- 전력-최대:2.5W
- 작동 온도:-55°C ~ 155°C (TJ)
- 장착 유형:Surface Mount
- 패키지 / 케이스:8-PowerTDFN
- 공급자 장치 패키지:PG-TISON-8
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