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기술적 세부 사항

  • 시리즈:HEXFET®
  • 꾸러미:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • fet 유형:N and P-Channel
  • fet 기능:Logic Level Gate
  • 소스 전압으로 드레인 (vdss):30V
  • 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):4A, 3A
  • rds on (최대) @ id, vgs:50mOhm @ 2.4A, 10V

 

  • vgs (th) (최대) @ id:3V @ 250µA
  • 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:25nC @ 4.5V
  • 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:520pF @ 15V
  • 전력-최대:1.4W
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지:8-SO

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