- 부품 번호APTSM120AM55CT1AG
- 상표Microsemi
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명POWER MODULE - SIC
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 2,677
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:2 N-Channel (Dual), Schottky
- fet 기능:Silicon Carbide (SiC)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200V (1.2kV)
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):74A (Tc)
- rds on (최대) @ id, vgs:50mOhm @ 40A, 20V
- vgs (th) (최대) @ id:3V @ 2mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:272nC @ 20V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:5120pF @ 1000V
- 전력-최대:470W
- 작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 패키지 / 케이스:SP1
- 공급자 장치 패키지:SP1
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