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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • fet 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet 기능:Silicon Carbide (SiC)
  • 소스 전압으로 드레인 (vdss):1200V (1.2kV)
  • 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):55A (Tc)
  • rds on (최대) @ id, vgs:49mOhm @ 40A, 20V

 

  • vgs (th) (최대) @ id:2.2V @ 2mA (Typ)
  • 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:98nC @ 20V
  • 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:1900pF @ 1000V
  • 전력-최대:250W
  • 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스:SP1
  • 공급자 장치 패키지:SP1

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