- 부품 번호APTM100H46FT3G
- 상표Roving Networks / Microchip Technology
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
- 범주트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
재고: 2,996
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기술적 세부 사항
- 시리즈:POWER MOS 8™
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Active
- fet 유형:4 N-Channel (H-Bridge)
- fet 기능:Standard
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):1000V (1kV)
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):19A
- rds on (최대) @ id, vgs:552mOhm @ 16A, 10V
- vgs (th) (최대) @ id:5V @ 2.5mA
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:260nC @ 10V
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:6800pF @ 25V
- 전력-최대:357W
- 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Chassis Mount
- 패키지 / 케이스:SP3
- 공급자 장치 패키지:SP3
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