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기술적 세부 사항

  • 시리즈:-
  • 꾸러미:Bulk
  • 부품 상태:Obsolete
  • 감지 거리:0.106" (2.7mm)
  • 감지 방법:Through-Beam
  • 출력 구성:Phototransistor
  • 전류-dc 순방향 (if) (최대):50 mA

 

  • 전류-수집기 (ic) (최대):10 mA
  • 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):30 V
  • 응답 시간:15µs, 15µs
  • 작동 온도:-25°C ~ 85°C
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지 / 케이스:4-DIP Module

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