기술적 세부 사항

• 시리즈:-
• 꾸러미:Tray
• 부품 상태:Obsolete
• fet 유형:N-Channel
• 과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
• 소스 전압으로 드레인 (vdss):1500 V
• 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):2A (Ta)
• 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
• rds on (최대) @ id, vgs:13Ohm @ 1A, 10V
• vgs (th) (최대) @ id:-

• 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:37.5 nC @ 10 V
• vgs (최대):±20V
• 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:380 pF @ 30 V
• fet 기능:-
• 전력 손실 (최대):2.5W (Ta), 110W (Tc)
• 작동 온도:150°C (TJ)
• 장착 유형:Through Hole
• 공급자 장치 패키지:TO-3PB
• 패키지 / 케이스:TO-3P-3, SC-65-3