- 부품 번호2N7635-GA
- 상표GeneSiC Semiconductor
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명TRANS SJT 650V 4A TO257
- 범주트랜지스터-fets, mosfets-단일
재고: 2,959
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bulk
- 부품 상태:Obsolete
- fet 유형:-
- 과학 기술:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 소스 전압으로 드레인 (vdss):650 V
- 전류-25 ° c에서 연속 드레인 (id):4A (Tc) (165°C)
- 구동 전압 (최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
- rds on (최대) @ id, vgs:415mOhm @ 4A
- vgs (th) (최대) @ id:-
- 게이트 요금 (qg) (최대) @ vgs:-
- vgs (최대):-
- 입력 커패시턴스 (ciss) (최대) @ vds:324 pF @ 35 V
- fet 기능:-
- 전력 손실 (최대):47W (Tc)
- 작동 온도:-55°C ~ 225°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 공급자 장치 패키지:TO-257
- 패키지 / 케이스:TO-257-3
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