- 부품 번호2N4123
- 상표NTE Electronics, Inc.
- 수명 주기 상태 Active
- RoHS RoHS Compliant
- 설명T-NPN SI- GEN PUR AMP
- 범주트랜지스터-양극 (bjt)-단일
재고: 7,046
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기술적 세부 사항
- 시리즈:-
- 꾸러미:Bag
- 부품 상태:Active
- 트랜지스터 유형:NPN
- 전류-수집기 (ic) (최대):200 mA
- 전압-컬렉터 이미 터 고장 (최대):30 V
- vce 포화 (최대) @ ib, ic:300mV @ 5mA, 50mA
- 전류-콜렉터 차단 (최대):50nA (ICBO)
- dc 전류 이득 (hfe) (최소) @ ic, vce:50 @ 2mA, 1V
- 전력-최대:350 mW
- 주파수-전환:250MHz
- 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 장착 유형:Through Hole
- 패키지 / 케이스:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 공급자 장치 패키지:TO-92
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